硅材料化学元素分析方案电感耦合等离子体发射光谱仪ICP法

电感耦合等离子体发射光谱仪ICP在硅材料行业应用方案

来源: | 作者:中科银丰 | 发布时间: 2023-04-22 | 441 次浏览 | 分享到:

硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量大、应用广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。本方法符合相关国标，是硅材料行业实验室必备选择。

1、摘要

硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量大、应用广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求很高。

由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要。

2、方法

采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP对该样品中B等8种有害杂质元素进行测定，并考察仪器检出限和方法的精密度。

经验证分析结果均符合相关国标和行标。

3、ICP行业配置方案